F-RAMs, parallel, 5 Volt

* ferroelektrisches nichtflüchtiges RAM
* nichtflüchtiger Speicher-Ersatz für SRAMs und parallele EEPROMs
* JEDEC SRAM & EEPROM Pinout
* Beschreiben bei Standard-Versorgungsspannung
* bis zu 500-fache Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zu typ. EEPROMs
* 1 Billion (10¹²) Schreib-/Lesezyklen
* 38 Jahre Daten-Erhalt (bei +75°C)
* Low Power Operation: 15mA Active Current
* Versorgungsspannung 4,5...5,5V
* Temperaturbereich -40...+85°C
* Hersteller: Cypress