Hersteller

BSM 75 GB 60 DLC

Infineon IGBT-Module der Serien BSM/FF/FS

  • IGBT Dioden-Module
  • im 34MM-1- / 62MM-1- / EASY2-1- / EASY1B-1-Gehäuse
  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

BSM 75 GB 60 DLC

44856 BSM 75 GB 60 DLC BSM75GB60DLCHOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 Infineon IGBT-Module der Serien BSM/FF/FS. IGBT Dioden-Module im 34MM-1- / 62MM-1- / EASY2-1- / EASY1B-1-Gehäuse Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

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Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung BSM75GB60DLCHOSA1
Gehäuse 34MM-1
Stoßstrom-Grenzwert [A] -
Max. Rückwärts-Spitzensperrspannung [V] -
Mittelwert Durchlassstrom [A] -
Verlustleistung [mW] 355
Einschaltverzögerungszeit [ns] 65
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 600
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 4,5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 150
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 170
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 100
Datenblatt

Stückpreis

54,09 €

Lagerbestand: 5