Hersteller

BSM 200 GB 60 DLC

Infineon IGBT-Module der Serien BSM/FF/FS

  • IGBT Dioden-Module
  • im 34MM-1- / 62MM-1- / EASY2-1- / EASY1B-1-Gehäuse
  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

BSM 200 GB 60 DLC

44857 BSM 200 GB 60 DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM200GB60DLCHOSA1 Infineon IGBT-Module der Serien BSM/FF/FS. IGBT Dioden-Module im 34MM-1- / 62MM-1- / EASY2-1- / EASY1B-1-Gehäuse Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Nicht mehr lieferbar

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung BSM200GB60DLCHOSA1
Gehäuse 34MM-1
Stoßstrom-Grenzwert [A] -
Max. Rückwärts-Spitzensperrspannung [V] -
Mittelwert Durchlassstrom [A] -
Verlustleistung [mW] 730
Einschaltverzögerungszeit [ns] 49
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 600
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 4,5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 400
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 285
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 230
Datenblatt

Stückpreis

85,59 €

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