Hersteller

FF 400 R 12 KE3

Infineon IGBT-Module der Serien BSM/FF/FS

  • IGBT Dioden-Module
  • im 34MM-1- / 62MM-1- / EASY2-1- / EASY1B-1-Gehäuse
  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

FF 400 R 12 KE3 FF400R12KE3HOSA1

FF 400 R 12 KE3

44862 FF 400 R 12 KE3 FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3HOSA1 Infineon IGBT-Module der Serien BSM/FF/FS. IGBT Dioden-Module im 34MM-1- / 62MM-1- / EASY2-1- / EASY1B-1-Gehäuse Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung FF400R12KE3HOSA1
Gehäuse 62MM-1
Stoßstrom-Grenzwert [A] -
Max. Rückwärts-Spitzensperrspannung [V] -
Mittelwert Durchlassstrom [A] -
Verlustleistung [mW] 2000
Einschaltverzögerungszeit [ns] 300
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 800
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 600
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 580
Datenblatt

Stückpreis

258,39 €

Lagerbestand: 8
Weitere Lieferung:
KW 05/2025