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Hersteller

IGB 20 N 60 H3

Infineon SMD IGBTs der Serien IGB/IKB/IKN

SMD-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (SMD IGBTs) im D²Pak- (TO263-3) oder SOT223-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an.

  • gegurtet
D²Pak

IGB 20 N 60 H3

110930 IGB 20 N 60 H3 IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 Infineon SMD IGBTs der Serien IGB/IKB/IKN. SMD-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (SMD IGBTs) im D²Pak- (TO263-3) oder SOT223-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an. gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IGB20N60H3ATMA1
Gehäuse D²Pak
Verlustleistung [W] 170
Einschaltverzögerungszeit [ns] 16
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 600
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 4,1
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 80
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 194
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 40
Datenblatt

Stückpreis

0,988 €

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Weitere Lieferung:
KW 17/2026

Mindestbestellmenge
1.000 Stück bzw. ein Vielfaches von 1.000.