Hersteller

IGB 10 N 60 T

Infineon SMD IGBTs der Serien IGB/IKB/IKN

SMD-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (SMD IGBTs) im D²Pak- (TO263-3) oder SOT223-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an.

  • gegurtet

IGB 10 N 60 T

112854 IGB 10 N 60 T IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon SMD IGBTs der Serien IGB/IKB/IKN. SMD-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (SMD IGBTs) im D²Pak- (TO263-3) oder SOT223-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an. gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IGB10N60TATMA1
Gehäuse D²Pak
Datenblatt

Stückpreis

0,672 €

Lagerbestand: 1230
Weitere Lieferung:
KW 17/2026

Mindestbestellmenge
5 Stück bzw. ein Vielfaches von 5.