Hersteller

IGB 30 N 60 H3

Infineon SMD IGBTs der Serien IGB/IKB/IKN

  • SMD-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (SMD IGBTs)
  • im D²Pak- (TO263-3) oder SOT223-Gehäuse
  • TRENCHSTOP™
  • gegurtet

IGB 30 N 60 H3

112856 IGB 30 N 60 H3 IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Infineon SMD IGBTs der Serien IGB/IKB/IKN. SMD-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (SMD IGBTs) im D²Pak- (TO263-3) oder SOT223-Gehäuse TRENCHSTOP™ gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IGB30N60H3ATMA1
Gehäuse D²Pak
Datenblatt

Stückpreis

1,86 €

Lagerbestand: 980
Weitere Lieferung:
KW 18/2025

Mindestbestellmenge
5 Stück bzw. ein Vielfaches von 5.