Hersteller

IGB 30 N 60 H3

Infineon SMD IGBTs der Serien IGB/IKB/IKN

SMD-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (SMD IGBTs) im D²Pak- (TO263-3) oder SOT223-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an.

  • gegurtet

IGB 30 N 60 H3

112856 IGB 30 N 60 H3 IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 Infineon SMD IGBTs der Serien IGB/IKB/IKN. SMD-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (SMD IGBTs) im D²Pak- (TO263-3) oder SOT223-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an. gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IGB30N60H3ATMA1
Gehäuse D²Pak
Datenblatt

Stückpreis

1,32 €

Lagerbestand: 1435
Weitere Lieferung:
KW 17/2026

Mindestbestellmenge
5 Stück bzw. ein Vielfaches von 5.