Hersteller

IGW 15 N 120 H3

Infineon IGBTs der Serien IGW/IGZ/IKW/IKZ

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) im TO247-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an.

IGW 15 N 120 H3

44847 IGW 15 N 120 H3 IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon IGBTs der Serien IGW/IGZ/IKW/IKZ. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) im TO247-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an.

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IGW15N120H3FKSA1
Gehäuse TO247
Verlustleistung [W] 217
Einschaltverzögerungszeit [ns] 21
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 60
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 260
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 30
Datenblatt

Stückpreis

3,39 €

Lagerbestand: 33
Weitere Lieferung:
KW 17/2026