Hersteller

IGW 15 N 120 H3

Infineon IGBTs der Serien IGW/IGZ/IKW/IKZ

  • Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs)
  • im TO247-Gehäuse
  • TRENCHSTOP™

IGW 15 N 120 H3

44847 IGW 15 N 120 H3 IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon IGBTs der Serien IGW/IGZ/IKW/IKZ. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) im TO247-Gehäuse TRENCHSTOP™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IGW15N120H3FKSA1
Gehäuse TO247
Verlustleistung [W] 217
Einschaltverzögerungszeit [ns] 21
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 60
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 260
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 30
Datenblatt

Stückpreis

3,29 €

Lagerbestand: 127
Weitere Lieferung:
KW 47/2024

Mindestbestellmenge
5 Stück bzw. ein Vielfaches von 5.