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Hersteller

IKW 40 N 120 H3

Infineon IGBTs der Serien IGW/IGZ/IKW/IKZ

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) im TO247-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an.

IKW40N120H3FKSA1, Infineon IGBTs, TO247-Gehäuse, IGW/IGZ/IKW/IKZ Serie

IKW 40 N 120 H3

44854 IKW 40 N 120 H3 IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon IGBTs der Serien IGW/IGZ/IKW/IKZ. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) im TO247-Gehäuse und mit TRENCHSTOP™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an.

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IKW40N120H3FKSA1
Gehäuse TO247
Verlustleistung [W] 483
Einschaltverzögerungszeit [ns] 30
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 160
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 290
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 80
Datenblatt

Stückpreis

5,99 €

Lagerbestand: 172
Weitere Lieferung:
KW 17/2026