Hersteller

IRL80HS120

Infineon SMD-MOSFETs der Serien IRF und IRL

N-Kanal Leistungs-MOSFETs im PQFN6-Gehäuse mit einem geringen Einschaltwiderstand. Diese Transistoren sind für die direkte Montage auf Leiterplatten geeignet und verfügen über eine geringe Bauhöhe. Sie sind für diverse Anwendungen geeignet. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an.

  • N-Kanal-MOSFETs
  • Gehäuse: PQFN6
  • Einschaltwiderstand: 0,0117 bis 0,17Ω
  • Drain-Source-Spannung: 20 bis 60V
  • Drainstrom: 2,3 bis 10A

IRL80HS120

256107 IRL80HS120 IRL80HS120 Infineon SMD-MOSFETs der Serien IRF und IRL. N-Kanal Leistungs-MOSFETs im PQFN6-Gehäuse mit einem geringen Einschaltwiderstand. Diese Transistoren sind für die direkte Montage auf Leiterplatten geeignet und verfügen über eine geringe Bauhöhe. Sie sind für diverse Anwendungen geeignet. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an. N-Kanal-MOSFETs Gehäuse: PQFN6 Einschaltwiderstand: 0,0117 bis 0,17Ω Drain-Source-Spannung: 20 bis 60V Drainstrom: 2,3 bis 10A

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRL80HS120
Gehäuse PQFN-6
Max. Drain-Source-Spannung [V] 80
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 12,5
Datenblatt

Stückpreis

0,334 €

Lagerbestand: 0
Weitere Lieferung:
KW 24/2026

Mindestbestellmenge
4.000 Stück bzw. ein Vielfaches von 4.000.