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N-Kanal Leistungs-MOSFETs im PQFN6-Gehäuse mit einem geringen Einschaltwiderstand. Diese Transistoren sind für die direkte Montage auf Leiterplatten geeignet und verfügen über eine geringe Bauhöhe. Sie sind für diverse Anwendungen geeignet. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Infineon Serie an.
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Herstellerbezeichnung | IRL100HS121 |
| Gehäuse | PQFN-6 |
| Max. Drain-Source-Spannung [V] | 100 |
| Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] | 11 |