Hersteller

IRF 520 N

Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

IRF 520 N

20154 IRF 520 N IRF520NPBF IRF520NPBF Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRF520NPBF
Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 100
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,2
Einschaltverzögerungszeit [ns] 4,5
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 9,7
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 32
Datenblatt

Stückpreis

0,392 €

Lagerbestand: 1163
Weitere Lieferung:
KW 24/2024

Mindestbestellmenge
1 bis 3 Stück bzw. ein Vielfaches von 10 plus 0 bis 3 .