Hersteller

IRF 640 N

Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

IRF 640 N

20179 IRF 640 N IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRF640NPBF
Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 200
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,15
Einschaltverzögerungszeit [ns] 10
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 18
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 23
Datenblatt

Stückpreis

0,494 €

Lagerbestand: 3562
Weitere Lieferung:
KW 24/2024

Mindestbestellmenge
1 bis 2 Stück bzw. ein Vielfaches von 10 plus 0 bis 2 .