Hersteller

IRF 3709 Z

Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

IRF 3709 Z

31472 IRF 3709 Z IRF3709ZPBF IRF3709ZPBF Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

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Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRF3709ZPBF
Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 30
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,0063
Einschaltverzögerungszeit [ns] 13
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 87
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 1,35
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 16
Datenblatt

Stückpreis

0,59 €

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