Hersteller

IRF 1018 E

Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

IRF 1018 E

32180 IRF 1018 E IRF1018EPBF IRF1018EPBF Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRF1018EPBF
Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 60
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,0084
Einschaltverzögerungszeit [ns] 13
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 79
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 55
Datenblatt

Stückpreis

0,481 €

Lagerbestand: 1834
Weitere Lieferung:
KW 26/2024

Mindestbestellmenge
1 bis 4 Stück bzw. ein Vielfaches von 10 plus 0 bis 4 .