Hersteller

BSP 373 N

Infineon MOSFETs der Serien OptiMOS und SIPMOS

  • Leistungs-MOSFETs in SMD Bauweise
  • im SOT223-Gehäuse
  • mit einer Verlustleistung von 1,8W

BSP 373 N

44881 BSP 373 N BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 Infineon MOSFETs der Serien OptiMOS und SIPMOS. Leistungs-MOSFETs in SMD Bauweise im SOT223-Gehäuse mit einer Verlustleistung von 1,8W

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung BSP373NH6327XTSA1
Gehäuse SOT223
Max. Drain-Source-Spannung [V] 100
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,24
Einschaltverzögerungszeit [ns] 4,6
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 1,8
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2,1
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 21,9
Datenblatt

Stückpreis

0,409 €

Lagerbestand: 525
Weitere Lieferung:
KW 16/2025

Mindestbestellmenge
25 Stück bzw. ein Vielfaches von 25.