Hersteller

MJ 21196 G

ON Semiconductor Transistoren der Serien 2N und MJ

  • Leistungstransistoren
  • im TO3-Gehäuse
  • PowerBase™

MJ 21196 G

107341 MJ 21196 G MJ21196G MJ21196G ON Semiconductor Transistoren der Serien 2N und MJ. Leistungstransistoren im TO3-Gehäuse PowerBase™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung MJ21196G
Gehäuse TO3
Kollektor-Emitter-Sperrspannung bei offener Basis [V] 250
Gleichstromverstärkung <8
Verlustleistung [W] 250
Kollektorstrom [mA] 100
Datenblatt

Stückpreis

5,99 €

Lagerbestand: 63
Weitere Lieferung:
KW 38/2024

Mindestbestellmenge
1 bis 3 Stück bzw. ein Vielfaches von 10 plus 0 bis 3 .