Hersteller

MID 145-12 A3

Littelfuse IGBT-Module der Serien MDI und MID

  • IGBT Dioden-Module
  • im Y3-DCB- bzw. Y4-M5-Gehäuse
  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

MID 145-12 A3

38373 MID 145-12 A3 MID145-12A3 MID145-12A3 Littelfuse IGBT-Module der Serien MDI und MID. IGBT Dioden-Module im Y3-DCB- bzw. Y4-M5-Gehäuse Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung MID145-12A3
Gehäuse Y4-M5
Stoßstrom-Grenzwert [A] -
Max. Rückwärts-Spitzensperrspannung [V] -
Mittelwert Durchlassstrom [A] -
Verlustleistung [mW] 700
Einschaltverzögerungszeit [ns] 100
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 4,5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 220
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 600
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 160
Datenblatt

Stückpreis

48,59 €

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Weitere Lieferung:
KW 43/2024

Mindestbestellmenge
6 Stück bzw. ein Vielfaches von 6.