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Hersteller | ON Semiconductor (ONS) |
Herstellerbezeichnung | FQP3N60C |
Gehäuse | TO220 |
Verlustleistung [W] | 75 |
Max. Drain-Source-Spannung [V] | 600 |
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] | 3,4 |
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] | 3 |
Einschaltverzögerungszeit [ns] | 12 |
Gate-Schwellenspannung, min. [V] | 2 |
Ausschaltverzögerungszeit [ns] | 35 |