Hersteller

STGW 40 V 60 DF

STMicroelectronics IGBTs der Serien STGF und STGP

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode im TO220-Gehäuse und mit PowerMESH™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser STMicroelectronics Serie an. 

STGW 40 V 60 DF

106987 STGW 40 V 60 DF STGW40V60DF STGW40V60DF STMicroelectronics IGBTs der Serien STGF und STGP. Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode im TO220-Gehäuse und mit PowerMESH™. Wir bieten diverse Ausführungen dieser STMicroelectronics Serie an. 

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STGW40V60DF
Gehäuse TO247
Verlustleistung [W] 283
Einschaltverzögerungszeit [ns] 52
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 600
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 160
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 208
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 80
Datenblatt

Stückpreis

2,39 €

Lagerbestand: 0
Weitere Lieferung:
KW 13/2026

Mindestbestellmenge
600 Stück bzw. ein Vielfaches von 600.