Hersteller

STB 18 N 65 M5

STMicroelectronics SMD MOSFETs der Serie STB

  • SMD-Leistungs-MOSFETs
  • im D²Pak-Gehäuse
  • MDmesh™ / SuperMESH™ / STripFET™ / DeepGATE™
  • gegurtet

STB 18 N 65 M5

107415 STB 18 N 65 M5 STB18N65M5 STB18N65M5 STMicroelectronics SMD MOSFETs der Serie STB. SMD-Leistungs-MOSFETs im D²Pak-Gehäuse MDmesh™ / SuperMESH™ / STripFET™ / DeepGATE™ gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STB18N65M5
Gehäuse D²Pak
Ausführung gegurtet
Max. Drain-Source-Spannung [V] 650
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,22
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 15
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 3
Datenblatt

Stückpreis

2,39 €

Lagerbestand: 1000
Weitere Lieferung:
KW 28/2025

Mindestbestellmenge
5 Stück bzw. ein Vielfaches von 5.