Hersteller

TSG65N190CR RVG

Taiwan Semiconductor SMD-Leistungs-MOSFETs der Serie TSG65N_

SMD-Leistungs-MOSFETs E-mode GaN im PDFN88-Gehäuse, bzw. im PDFN56-Gehäuse (TSG65N190CR RVG) und mit N-Kanal. Wir bieten die folgenden Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an: TSG65N068CE RVG, TSG65N110CE RVG, TSG65N195CE RVG und TSG65N190CR RVG.

TSG65N190CR RVG

256132 TSG65N190CR RVG TSG65N190CR RVG Taiwan Semiconductor SMD-Leistungs-MOSFETs der Serie TSG65N_. SMD-Leistungs-MOSFETs E-mode GaN im PDFN88-Gehäuse, bzw. im PDFN56-Gehäuse (TSG65N190CR RVG) und mit N-Kanal. Wir bieten die folgenden Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an: TSG65N068CE RVG, TSG65N110CE RVG, TSG65N195CE RVG und TSG65N190CR RVG.

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSG65N190CR RVG
Gehäuse PDFN-56
Max. Drain-Source-Spannung [V] 650
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 11
Datenblatt

Stückpreis

5,39 €

Lagerbestand: 0
Weitere Lieferung:
KW 40/2026

Mindestbestellmenge
9.000 Stück bzw. ein Vielfaches von 9.000.