> Halbleiter>Transistoren>MOSFETs>Taiwan Semiconductor SMD-Leistungs-MOSFETs, PDFN56-Gehäuse, TSM und TQM Serie>TSM 089 N 08 LCR

Hersteller

TSM 089 N 08 LCR

Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM

SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an.

  • TSC
TSM089N08LCR RLG, Taiwan Semiconductor SMD-Leistungs-MOSFETs, PDFN56-Gehäuse, TSM Serie

TSM 089 N 08 LCR

112932 TSM 089 N 08 LCR TSM089N08LCR RLG TSM089N08LCR RLG Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM. SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an. TSC

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSM089N08LCR RLG
Gehäuse PDFN56
Verlustleistung [W] 83
Max. Drain-Source-Spannung [V] 80
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,009
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 67
Einschaltverzögerungszeit [ns] 8
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 1
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 45
Datenblatt

Stückpreis

0,966 €

Lagerbestand: 2400
Weitere Lieferung:
KW 34/2026

Mindestbestellmenge
25 Stück bzw. ein Vielfaches von 25.