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Hersteller

TSM 110 NB 04 CR

Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM

SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an.

  • TSC
TSM110NB04CR RLG, Taiwan Semiconductor SMD-Leistungs-MOSFETs, PDFN56-Gehäuse, TSM Serie

TSM 110 NB 04 CR

112933 TSM 110 NB 04 CR TSM110NB04CR RLG TSM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM. SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an. TSC

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSM110NB04CR RLG
Gehäuse PDFN56
Verlustleistung [W] 68
Max. Drain-Source-Spannung [V] 40
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,011
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 54
Einschaltverzögerungszeit [ns] 3,2
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 10
Datenblatt

Stückpreis

0,327 €

Lagerbestand: 2100
Weitere Lieferung:
KW 34/2026

Mindestbestellmenge
25 Stück bzw. ein Vielfaches von 25.