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Hersteller

TSM 120 N 06 LCR

Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM

SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an.

  • TSC
TSM120N06LCR RLG, Taiwan Semiconductor SMD-Leistungs-MOSFETs, PDFN56-Gehäuse, TSM Serie

TSM 120 N 06 LCR

112935 TSM 120 N 06 LCR TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM. SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an. TSC

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSM120N06LCR RLG
Gehäuse PDFN56
Verlustleistung [W] 68
Max. Drain-Source-Spannung [V] 60
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,013
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 51
Einschaltverzögerungszeit [ns] 3
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 17
Datenblatt

Stückpreis

0,699 €

Lagerbestand: 3350
Weitere Lieferung:
KW 33/2026

Mindestbestellmenge
25 Stück bzw. ein Vielfaches von 25.