Hersteller

TSM 120 N 06 LCR

Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM

  • SMD-Leistungs-MOSFETs
  • im PDFN56-Gehäuse
  • TSC

TSM 120 N 06 LCR

112935 TSM 120 N 06 LCR TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM. SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56-Gehäuse TSC

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSM120N06LCR RLG
Gehäuse PDFN56
Verlustleistung [W] 68
Max. Drain-Source-Spannung [V] 60
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,013
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 51
Einschaltverzögerungszeit [ns] 3
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 17
Datenblatt

Stückpreis

0,582 €

Lagerbestand: 3375
Weitere Lieferung:
KW 41/2024

Mindestbestellmenge
25 Stück bzw. ein Vielfaches von 25.