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Hersteller

TSM 130 NB 06 CR

Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM

SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an.

  • TSC
TSM130NB06CR RLG, Taiwan Semiconductor SMD-Leistungs-MOSFETs, PDFN56-Gehäuse, TSM Serie

TSM 130 NB 06 CR

112936 TSM 130 NB 06 CR TSM130NB06CR RLG TSM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM. SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an. TSC

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSM130NB06CR RLG
Gehäuse PDFN56
Verlustleistung [W] 83
Max. Drain-Source-Spannung [V] 60
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,013
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 51
Einschaltverzögerungszeit [ns] 2
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 1
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 23
Datenblatt

Stückpreis

0,417 €

Lagerbestand: 2475
Weitere Lieferung:
KW 27/2026

Mindestbestellmenge
25 Stück bzw. ein Vielfaches von 25.