> Halbleiter>Transistoren>MOSFETs>Taiwan Semiconductor SMD-Leistungs-MOSFETs, PDFN56-Gehäuse, TSM und TQM Serie>TSM 130 NB 06 LCR

Hersteller

TSM 130 NB 06 LCR

Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM

SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an.

  • TSC
TSM130NB06LCR RLG, Taiwan Semiconductor SMD-Leistungs-MOSFETs, PDFN56-Gehäuse, TSM Serie

TSM 130 NB 06 LCR

112937 TSM 130 NB 06 LCR TSM130NB06LCR RLG TSM130NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor SMD MOSFETs der Serien TSM und TQM. SMD-Leistungs-MOSFETs im PDFN56 / PDFN56U / PDFN56U Dual Gehäuse. Wir bieten diverse Ausführungen dieser Taiwan Semiconductor Serie an. TSC

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSM130NB06LCR RLG
Gehäuse PDFN56
Verlustleistung [W] 83
Max. Drain-Source-Spannung [V] 40
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,015
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 41
Einschaltverzögerungszeit [ns] 3
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 8
Datenblatt

Stückpreis

0,417 €

Lagerbestand: 2450
Weitere Lieferung:
KW 26/2026

Mindestbestellmenge
25 Stück bzw. ein Vielfaches von 25.