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Hersteller | Taiwan Semiconductor |
Herstellerbezeichnung | TSM220NB06LCR RLG |
Gehäuse | PDFN56 |
Verlustleistung [W] | 68 |
Max. Drain-Source-Spannung [V] | 60 |
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] | 0,022 |
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] | 35 |
Einschaltverzögerungszeit [ns] | 1 |
Gate-Schwellenspannung, min. [V] | 1 |
Ausschaltverzögerungszeit [ns] | 14 |