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- nichtflüchtige ferroelektrische Speicherbausteine im SO8 bzw. TDFN8 Gehäuse (FN_-DG)
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- geeignet für bis zu 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen
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Cypress FRAMs der Serie FM25
- nichtflüchtige ferroelektrische Speicherbausteine im SO8 bzw. TDFN8 Gehäuse (FN_-DG)
- als Ersatz für serielle SPI-FLash oder SPI-EEPROMs
- geeignet für bis zu 100 Billionen (1014) Schreib-/Lesezyklen
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