Hersteller

IXDN 55 N 120 D 1

Littelfuse IGBTs der Serien IXA und IXDN

  • Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs)
  • mit Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED)
  • im SOT227B-Gehäuse

IXDN 55 N 120 D 1

20568 IXDN 55 N 120 D 1 IXDN55N120D1 IXDN55N120D1 Littelfuse IGBTs der Serien IXA und IXDN. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) mit Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) im SOT227B-Gehäuse

Nicht mehr lieferbar

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IXDN55N120D1
Gehäuse SOT227B
Verlustleistung [W] 450
Einschaltverzögerungszeit [ns] 100
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 4,5
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 124
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 500
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 100
Datenblatt

Stückpreis

28,39 €

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