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Hersteller

IRFB 31 N 20 D

Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand
TO220AB

IRFB 31 N 20 D

20295 IRFB 31 N 20 D IRFB31N20DPBF IRFB31N20DPBF Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

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Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung IRFB31N20DPBF
Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 200
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,082
Einschaltverzögerungszeit [ns] 16
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 31
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 3
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 26
Datenblatt

Stückpreis

1,31 €

Lagerbestand: 8