Hersteller

IRF 4104

Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL

  • Leistungs-MOSFETs
  • im TO220AB-Gehäuse
  • mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

IRF 4104

31413 IRF 4104 IRF 4104 Infineon MOSFETs der Serien IRF und IRL. Leistungs-MOSFETs im TO220AB-Gehäuse mit einem geringen Drain-Source-Durchlasswiderstand

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Technische Daten

Gehäuse TO220AB
Max. Drain-Source-Spannung [V] 40
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,0055
Einschaltverzögerungszeit [ns] 16
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 75
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 2
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 38

Stückpreis

1,15 €

Lagerbestand: 1