112886SCT 2080 KEC SCT2080KEGC11SCT2080KEGC11Rohm SiC-Leistungs-MOSFETs der Serie SCH und SCT.
TO-247 Gehäuse
n-Kanal Typ
Siliziumcarbid (SiC) als Halbleitermaterial
niedriger Einschaltwiderstand
schnelle Schaltgeschwindigkeit
RoHS konform
einfach parallel zu schalten
geringe Rückwärtserholzeit