Hersteller

STP 10 NK 60 Z

STMicroelectronics MOSFETs der Serie STP

  • STM Leistungs-MOSFETs
  • im TO220-Gehäuse
  • MDmesh™ / SuperMESH™ / FDmesh™ / STripFET™ / DeepGATE™

STP 10 NK 60 Z

20841 STP 10 NK 60 Z STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics MOSFETs der Serie STP. STM Leistungs-MOSFETs im TO220-Gehäuse MDmesh™ / SuperMESH™ / FDmesh™ / STripFET™ / DeepGATE™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STP10NK60Z
Gehäuse TO220
Max. Drain-Source-Spannung [V] 600
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,75
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 10
Datenblatt

Stückpreis

0,905 €

Lagerbestand: 448
Weitere Lieferung:
KW 40/2024

Mindestbestellmenge
1 bis 8 Stück bzw. ein Vielfaches von 10 plus 0 bis 8 .