Hersteller

STW 9 N 150

STMicroelectronics MOSFETs der Serie STW

  • STM Leistungs-MOSFETs
  • im TO247-Gehäuse
  • PowerMESH™ / MDmesh™ / FDmesh™ / SuperMESH™ / STripFET™

STW 9 N 150

107348 STW 9 N 150 STW9N150 STW9N150 STMicroelectronics MOSFETs der Serie STW. STM Leistungs-MOSFETs im TO247-Gehäuse PowerMESH™ / MDmesh™ / FDmesh™ / SuperMESH™ / STripFET™

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung STW9N150
Gehäuse TO247
Max. Drain-Source-Spannung [V] 1500
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 2,5
Einschaltverzögerungszeit [ns] 41
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 8
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 3
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 86
Datenblatt

Stückpreis

8,89 €

Lagerbestand: 50
Weitere Lieferung:
KW 06/2026

Mindestbestellmenge
5 Stück bzw. ein Vielfaches von 5.