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| Hersteller | Taiwan Semiconductor |
| Herstellerbezeichnung | ES1DL |
| Gehäuse | DO219AB/Sub-SMA |
| Stoßstrom-Grenzwert [A] | 30 |
| Max. Sperrverzugszeit [ns] | 35 |
| Max. Rückwärts-Spitzensperrspannung [V] | 200 |
| Max. Durchlassspannung [V] | 0,95 |
| Sperrstrom [µA] | 5 |
| Mittelwert Durchlassstrom [A] | 1 |