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Hersteller

TSG 10 N 120 CN

Taiwan Semiconductor IGBTs der Serien TSG

  • Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs)
  • mit Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED)
  • im TOP3- bzw. TO264-Gehäuse
TOP3

TSG 10 N 120 CN

38383 TSG 10 N 120 CN TSG10N120CN C0 TSG10N120CN C0 Taiwan Semiconductor IGBTs der Serien TSG. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) mit Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) im TOP3- bzw. TO264-Gehäuse

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Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSG10N120CN C0
Gehäuse TOP3
Verlustleistung [W] 125
Einschaltverzögerungszeit [ns] 30
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 3
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 42
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 130
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 21
Datenblatt

Stückpreis

2,69 €

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