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Hersteller

TSG 40 N 120 CE

Taiwan Semiconductor IGBTs der Serien TSG

  • Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs)
  • mit Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED)
  • im TOP3- bzw. TO264-Gehäuse
TO264

TSG 40 N 120 CE

38385 TSG 40 N 120 CE TSG40N120CE C0 TSG40N120CE C0 Taiwan Semiconductor IGBTs der Serien TSG. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) mit Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) im TOP3- bzw. TO264-Gehäuse

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Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung TSG40N120CE C0
Gehäuse TO264
Verlustleistung [W] 208
Einschaltverzögerungszeit [ns] 41
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, max. [V] 1200
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 4
Max. Kollektorstrom, gepulst [A] 120
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 200
Max. Dauer-Kollektorstrom bei TC=25°C [A] 64
Datenblatt

Stückpreis

4,99 €

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