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| Hersteller | Taiwan Semiconductor |
| Herstellerbezeichnung | TSM9926DCS RLG |
| Gehäuse | SO8 |
| Ausführung | gegurtet |
| Max. Drain-Source-Spannung [V] | 20 |
| Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] | 0,03 |
| Einschaltverzögerungszeit [ns] | 4,9 |
| Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] | 6 |
| Gate-Schwellenspannung, min. [V] | 0,6 |
| Ausschaltverzögerungszeit [ns] | 15,7 |