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Hersteller | Taiwan Semiconductor |
Herstellerbezeichnung | TSM05N03CW RPG |
Gehäuse | SOT223 |
Ausführung | gegurtet |
Max. Drain-Source-Spannung [V] | 30 |
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] | 0,06 |
Einschaltverzögerungszeit [ns] | 4,2 |
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] | 5 |
Gate-Schwellenspannung, min. [V] | 1 |
Ausschaltverzögerungszeit [ns] | 13 |