Hersteller

SI 4162 DY

Vishay SMD MOSFETs der Serie Si

  • SMD-Leistungs-MOSFETs
  • im SO8-Gehäuse
  • Vishay Siliconix®
  • gegurtet

SI 4162 DY

107506 SI 4162 DY SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Vishay SMD MOSFETs der Serie Si. SMD-Leistungs-MOSFETs im SO8-Gehäuse Vishay Siliconix® gegurtet

Technische Daten

Hersteller
Herstellerbezeichnung SI4162DY-T1-GE3
Gehäuse SO8
Ausführung gegurtet
Max. Drain-Source-Spannung [V] 30
Max. Drain-Source-Durchlasswiderstand [Ω] 0,0079
Einschaltverzögerungszeit [ns] 14
Max. Dauer-Drainstrom bei TC = 25°C [A] 19,3
Gate-Schwellenspannung, min. [V] 1
Ausschaltverzögerungszeit [ns] 25
Datenblatt

Stückpreis

0,307 €

Lagerbestand: 1900
Weitere Lieferung:
KW 32/2024

Mindestbestellmenge
50 Stück bzw. ein Vielfaches von 50.